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日前，合肥安海半導體股份有限公司（以下簡稱“安海半導體”）宣布，其研發(fā)的6.5kV/40mΩ與10kV/130mΩ系列碳化硅（SiC）MOSFET芯片獲浙江大學電氣工程學院實驗檢驗和中國科學院電工研究所高頻場控功率器件及裝置產品質量檢驗中心現(xiàn)場見證測試通過，并已實現(xiàn)量產，兩款產品良率均突破80%大關，標志著中國企業(yè)在超高壓碳化硅領域達到世界領先水平。

作為第三代半導體材料的核心應用，碳化硅器件因其高功率密度、耐高壓高溫、低能耗等優(yōu)勢，在智能電網(wǎng)、高端裝備等領域具有重要戰(zhàn)略價值，而6.5kV及以上超高壓碳化硅器件的制造存在工藝難度大、量產良率低等行業(yè)痛點。安海半導體依托深厚技術積累及上下游協(xié)同合作，成功攻克這一難題，成為全球率先以高良率量產上述兩款超高壓芯片的廠商之一。

檢測報告顯示，本次量產的兩款芯片性能表現(xiàn)突出，覆蓋高端電力電子高壓應用區(qū)間。兩款產品均實現(xiàn)超高耐壓與低導通損耗的雙重優(yōu)勢，為高壓直掛應用提供了理想核心器件。這一突破將改變多個高附加值行業(yè)電氣架構：在綠色船舶與高鐵交通領域，可顯著降低牽引系統(tǒng)損耗，減小設備體積和重量，助力交通運輸領域綠色變革；在新型配電與算力供電領域，作為高壓直掛固態(tài)變壓器核心元件，可支撐智能電網(wǎng)建設，同時簡化算力中心供電架構，打造節(jié)能型綠色算力基礎設施；在高壓柔性直流輸電領域，其應用可將傳統(tǒng)串聯(lián)器件數(shù)量減少60%以上，簡化系統(tǒng)結構，助力我國電力裝備產業(yè)擺脫對進口IGBT器件的依賴，實現(xiàn)“換道超車”。

安海半導體負責人黃昕表示，此次10kV芯片高良率量產，實現(xiàn)了我國在該領域從“跟跑”到“領跑”的跨越，未來將繼續(xù)拓展高壓碳化硅應用邊界，積極推進“產學研用”創(chuàng)新體系建設，提供更優(yōu)質的功率解決方案，服務國家重大戰(zhàn)略需求、賦能產業(yè)升級。目前，安海半導體首批10kV碳化硅MOSFET芯片已順利出貨。黃昕表示，安海半導體正攜手下游頭部客戶，加速推進器件封裝、驅動等相關技術進步，推動該芯片在船舶、高鐵、算力中心及智能電網(wǎng)等領域的應用落地。